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LED发光原理及特征

宣布时间： 2021-12-27
所属分类：行业知识
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（一）LED发光原理

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发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，，，，，，，，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，，，，，，，，其焦点是PN结。。。。。因此它具有一样平常P-N结的I-N特征，，，，，，，，即正向导通，，，，，，，，反向阻止、击穿特征。。。。。别的，，，，，，，，在一定条件下，，，，，，，，它还具有发光特征。。。。。在正向电压下，，，，，，，，电子由N区注入P区，，，，，，，，空穴由P区注入N区。。。。。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与大都载流子（多子）复合而发光，，，，，，，，

假设发光是在P区中爆发的，，，，，，，，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，，，，，，，，或者先被发光中心捕获后，，，，，，，，再与空穴复合发光。。。。。除了这种发恢复合外，，，，，，，，尚有些电子被非发光中心（这其中心介于导带、介带中心周围）捕获，，，，，，，，此后再与空穴复合，，，，，，，，每次释放的能量不大，，，，，，，，不可形成可见光。。。。。发光的复合量相关于非发恢复合量的比例越大，，，，，，，，光量子效率越高。。。。。由于复合是在少子扩散区内发光的，，，，，，，，以是光仅在靠近PN结面数μm以内爆发。。。。。理论和实践证实，，，，，，，，光的峰值波长λ与发光区域的半导体质料禁带宽度Ｅg有关，，，，，，，，即λ≈1240/Eg（mm）

式中Eg的单位为电子伏特（eV）。。。。。若能爆发可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），，，，，，，，半导体质料的Eg应在3.26～1.63eV之间。。。。。比红光波长长的光为红外光。。。。。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，，，，，，，，但其中蓝光二极管本钱、价钱很高，，，，，，，，使用不普遍。。。。。

（二）LED的特征

1．极限参数的意义

（1）允许功耗Pm:允许加于LED两规则向直流电压与流过它的电流之积的最大值。。。。。凌驾此值，，，，，，，，LED发热、损坏。。。。。

（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。。。。。凌驾此值可损坏二极管。。。。。

（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。。。。。凌驾此值，，，，，，，，发光二极管可能被击穿损坏。。。。。

（4）事情情形topm:发光二极管可正常事情的情形温度规模。。。。。低于或高于此温度规模，，，，，，，，发光二极管将不可正常事情，，，，，，，，效率大大降低。。。。。

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