LED发光原理及特性
- 宣布时间： 2021-12-27
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（一）LED发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其焦点是PN结 。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性 。别的，在一定条件下，它还具有发光特性 。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区 。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与大都载流子（多子）复合而发光，
假设发光是在P区中爆发的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光 。除了这种发恢复合外，另有些电子被非发光中心（这其中心介于导带、介带中间四周）捕获，此后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不可形成可见光 。发光的复合量相关于非发恢复合量的比例越大，光量子效率越高 。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内爆发 。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体质料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的单位为电子伏特（eV） 。若能爆发可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体质料的Eg应在3.26～1.63eV之间 。比红光波长长的光为红外光 。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管本钱、价格很高，使用不普遍 。
（二）LED的特性
1．极限参数的意义
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两规则向直流电压与流过它的电流之积的最大值 。凌驾此值，LED发热、损坏 。
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流 。凌驾此值可损坏二极管 。
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压 。凌驾此值，发光二极管可能被击穿损坏 。
（4）事情情况topm:发光二极管可正常事情的情况温度规模 。低于或高于此温度规模，发光二极管将不可正常事情，效率大大降低 。
